|
광메모리와 전기메모리 기반기술 - 상변화(phase change) 기술
(1) 기본이론
(2) 상변화디스크 시스템 및 디스크 구조
(3) 각 층의 역할
(가) 유전체 보호층
(나) 기록막
(다) 반사층
(라) 보호코팅층
(마) 기판
(4) 상변화 물질의 발전
|
|
|
상변화형 광디스크 개발 관련 국책과제 또는 자체개발을 통해 확보한 재료/구조개발 관련 차용 가능한 핵심기술 및 노하우를 기반으로 하여 세계 최고 수준의 반도체 메모리 기술 및관련 infra를 최대한 효율적으로 이용하는 개발전략 여하에
|
|
|
■ Abstract ..............................................page. 1
■ Introduction ..................................page. 1
■ Phase Change Memory ............................page. 1
1. About the Phase Change Memory ........................page. 1
1-1. Operation Theory of the Phase Chang
|
|
|
phase-change memory) 이란 무엇인가?
(1) PCRAM의 기본원리
(2) PCRAM의 구조
(3)PCRAM의 동작원리
(4) Pcram의 재료
(5)공정
3. PRAM의 장/단점 및 문제해결방안
1) PRAM의 장점
2) PRAM의 단점
4. 각 기업별 앞으로의 PRAM 기술 개발 동향
1) Ovonyx사
2) Intel
|
|
|
Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5. FRA
|
|
 |
memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론
1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random
|
|
|
Phase Lock Loop for standard Mobile Image Achitecture, 석사 논문(연세대학교 전기전자 공학과, 삼성전자 LSI 시스템) 2004
<4> 김 대 정, “DLL기반의주파수 합성기” IDEC News Letter January, vol.34,
no.5, p.16 ~ p.17 2005
<5> CMOS ADC DLL PLL 칩의 최신 기술 동향,
|
|
|
광식(1999), "전자부품, 소재산업의 육성을 위한 정책 방향", 「전자진흥」
김한태(1995), "한국 전자부품 산업의 기술개발전략에 관한 연구", 한양대학교 경영대학원 석사학위 논문
박성택외(1994), "주요 전자제품산업의 현황과 육성전략", 「산업
|
|
|
기술, 즉 광전자 기술의 발전이 반도체 조명이라는 또 다른 빛의 혁명을 주도하고 있음에는 틀림이 없다. 세계적으로 우리나라가 실리콘 메모리 반도체 산업의 주역인 것처럼 새롭게 등장하고 있는 반도체 조명이라는 분야에도 주역이 될 수
|
|
 |
기반하여 답변하세요.
3. 하이닉스 관련 뉴스
차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발: SK하이닉스는 PIM 기술이 적용된 ‘GDDR6-AiM’ 샘플을 개발했어요. 이는 데이터 처리 속도를 대폭 향상시키는 제품으로, 머신러닝, 고성능 컴퓨팅, 빅 데이터의
|
|
 |
기반으로 개발을 하지 않고 POJO기반으로 개발을 하더라도 가볍고, 제어가 가능한 상호관련이 적은 AOP를 지원한다. 컨테이너를 통해 라이프사이클을 관리하고 XML기반으로 컴포넌트를 개발할 수 있도록 지원해주는 프레임워크 1. PK, FK, ER모
|
|
 |
기술 기반의 DDR5 D램 메모리 기술 개발과 이를 보조하는 전력관리반도체의 라인업을 선보이면서 삼성전자에서 추구하는 친환경 메모리소자 상용화에 한걸음 더 나아간 소식을 들었습니다. CXL기술은 AI, 빅데이터 등 고성능 연산이 필요한 어
|
|
 |
메모리 반도체의 성능 향상을 목표로 하는 여러 프로젝트에 참여했습니다. 특히, 저는 낸드 플래시 메모리의 데이터 전송 속도를 향상시키는 연구에 기여했습니다. 이 경험은 SK하이닉스가 지속적으로 혁신하고 있는 메모리 기술 분야와 직접
|
|
 |
기술력을 발전시키고 국내 뿐만 아니라 글로벌 경쟁기반을 다지겠습니다. STS반도체통신은 메모리 제품이 90%을 넘을 만큼 메모리 제품에 편중돼 있던 사업 분야를 과감히 전환할 정도이기 때문에 저는 시스템반도체와 같은 비메모리 분야에
|
|
메뉴펼치기
