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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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Sputtering된 입자가 잘 달라붙는가와 관련 있다는 결론을 얻었고 Sputtering법으로 박막을 제조 시 최대한 Substrate의 표면을 최대한 매끄럽게 polishing하는 것이 우수한 박막을 제조할 수 있는 방법임을 알 수 있다.
참고문헌
개날연 블로그
DC/RF Sputte
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산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균 자
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◆ 스퍼터(Sputter)
- 스퍼터링 방식으로 박막을 제조하는 장치로 진공 상태에서 아르곤 가스를 소량 주입하고 한편에는 재료 물질인 원반형 타겟을 두고 반대 쪽에는 기판을 두고 둘 사이에 전압을 인가하되 직류(DC)와 라디오 주파수(rf), 중간
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3. 실험 방법
준비된 실리콘 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩
샘플 메인 쳄버에 로딩
주 공정챔버 :3x10-6torr 이하로 진공 분위기 만듬
MFC 밸브를 통해 working pressure 조절
RF power(전압)를 100W로 조절하여 Ar plasma 형성
체임버내에 주입되는 가스량
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sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다.
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해서 설명해 보라
37.인터리빙에 대해서 설명해 보라
38.sputter가 어떤 원리인가?
39.DC sputter 와 RF sputter 의 공정의 차이는 무엇인가?
40.안테나에서 중요한 파라메타는 무엇이 있나?
41.교회에 다니는데, 주일에 상사가 출근을 하라고 한다면
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대기업합격PT자료
반도체&LED Wet Station / 반도체 300mm Single Tool / 반도체&LED Dryer 공정 업무
1) 공정 Process 조건 확립 및 개선 업무
2) 공정 장비 Set up 업무
(1) Silicon FAB 공정(MEMS) ? Dry etcher(Main), Sputter (Main), Spin track(Sub), Wet Station(Main)
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* 반도체/LED/MEMS 공정 기술 engineer
반도체&LED Wet Station / 반도체 300mm Single Tool / 반도체&LED Dryer 공정 업무
1) 공정 Process 조건 확립 및 개선 업무
2) 공정 장비 Set up 업무
(1) Silicon FAB 공정(MEMS) ? Dry etcher(Main), Sputter (Main), Spin track(Sub), Wet Stat
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sputter, Evaporator 등을 사용하여 TFT 소자를 직접 제작할 수 있는 디스플레이 공정실습 과목을 신청하여 단위공정을 직접 경험하였고 대학원에 진학하여서는 실습조교로 공정실습을 진행했습니다. 그리고 디스플레이와 관련된 이론 공부를 위해
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Sputtering, PECVD, PHOTO, Dry Etch, Wet Etch, Strip 및 검사공정등의 TFT 공정뿐만 아니라 배향, Rubbing, Valc, CPS, 식각등의 Cell 후공정 등 LCD 전반의 지식을 갖고 있습니다. 또한 수율을 Care하기 위해서는 품질 Mind는 필수입니다. 신뢰성과 연관되는 품질문제
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