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원리와 과정
E-beam evaporator는 이 공정은 주로 용융점이
높은 금속 (W, Nb, Si..)과 유전체(SiO2)의 박막을
기판 위에 증착 할 수 있는 장비로써, 반도체 공정
및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는 공정이다.
E-beam source인 hot filament에 전류
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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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가능하고 효율이 높기 때문에 박막 광전지에 활용할 수 있는 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 1. Sputtering
1-1. 용어
1-2. Sputtering
1-3. Plasma
1-4. Sputtering 원리 및 특징
1-5. Sputtering 장단점
1-6. Sputtering 종류
1-7. Sputtering M/C
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Sputtering)에 의한 박막 증착’방법의 원리를 이해하고, 실제로 실리콘 기판에 Cu 박막을 증착해보는 실험이었다.
진공증착법에는 크게 물리적증착, 화학적증착이 있고, 이 중 스퍼터링은 물리적 증착에 속한다. 그리고 스퍼터링은 또다시 가해
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Sputtering장치 매뉴얼
네이버 백과사전
신기술연구소논문집(Journal of the institute of new technology) ISSN 1226-184X 1. 서론
2. 이론적 배경
가. Sputtering법
나. RF Sputtering장치의 구성 및 원리
3. 실험
가. 실험 장치
나. 실험 방법
1) Su
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