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I-V를 C-V보다 나중에 측정했기 때문에 측정과정 중에 대기에 노출되어 이로 인해 생기는 불순물 결합을 원인으로 볼 수 있다. 7. 결론 MOS capacitor의 oxide층을 변수로 인가한 V에 따른 Capacitance, Current값을 측정하고 분석하는 실험을 하였다. 실험
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  • 등록일 2012.05.17
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결과값이 좋았던 Si-100nm과 비교를 했으나 ALD의 누설전류가 압도적으로 작은 그래프를 얻을 수 있었다. 이 실험을 통해 좋은 MOS Capacitor를 만들기 위해서는 얇은 박막, 그리고 좋은 Uniformity를 얻을 수 있는 증착기술이 필수적임을 깨달았다. 7.
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  • 등록일 2014.01.07
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적 2.이론적 배경 MOS 캐패시터 1) 산화공정 2) CVD 공정 3) Photo 공정 4) PVD 공정) 3. 실험방법 4. 결과 및 고찰 1)C-V 그래프 2)I-V 그래프 3)결론
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  • 등록일 2010.04.20
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측정 > ※ 얼룩이 진 모습을 확인 할 수 있었다. 얼룩이 생기는 이유??? < 스퍼터링을 이용한 투명전극 제조 및 그리드 형성 > < CIGS 박막태양전지의 I-V, 효율 측정 및 소자파라메터 추출 > Problem 1) 주어진 값을 그래프로 나타내고, 각 영역
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실험 목표 ◉ 배 경 이 론 -NTC 1) 재료 2) 결정구조 3) 전기전도 4) NTC thermistor의 전기온도 특성 5) 전기적 부하와 NTC thermistor 6) NTC thermistor의 응용 -저항이란? -전기 전도도 ◉실 험 도 구 ◉실 험 방 법 ◉결론 및 고
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  • 등록일 2009.11.19
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논문 45건

두께, 너비를 고려하여 유한요소해석 시뮬레이션 통해서 나온 값을 비교, 분석하여 최적화 형상을 결정하였다. 휜의 변수인자 길이에 따른 온도변화 결과값은 길이가 길수록 휜의 효율이 좋다 그렇지만 변수를 길이만 주었기 때문에 너비,
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  • 발행일 2011.12.21
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6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진 욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론 2. 이 론 1) PDMS (Polydimethylsiloxane) 2) Nano Transfer Printing 3) Decal Tranfer Lithography (DTL) 4) ITO (Indium Tin Oxide) 3. 실험방법 4. 결과 및 고찰 5. 결 론
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  • 발행일 2008.06.23
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측정 13 제 4 장 결과 및 고찰 15 4.1 프리틸트각 15 4.2 TN과 OCB의 응답속도 16 제 5 장 결 론 18 參考文獻 19 그림 목차 [그림 2-1] 각 상에 따른 배향정도 3 [그림 2-2] 네마틱액정 4 [그림 2-3] 콜레스테릭 액정 구조 5 [그림 2-4] 스메틱액정
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  • 발행일 2008.12.05
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두께에 대한 영향 및 최적화 4. 노광시간(Exposure Time)의 영향 및 최적화 5. 실험 결과 및 고찰 Ⅲ. 실리콘 주형의 제작과 분광기의 제작 1. 반응성 이온 식각 공정(RIE;Reactiva Ion Etching Process) 2. UV 몰딩(UV-molding) 공정을 이용한 분광기의 제작 3.
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전자 공학과, 삼성전자 LSI 시스템) 2004 <4> 김 대 정, “DLL기반의주파수 합성기” IDEC News Letter January, vol.34, no.5, p.16 ~ p.17 2005 <5> CMOS ADC DLL PLL 칩의 최신 기술 동향, 포항공대 전기전자 공학과, IDEC News Letter Octorber, vol.23, no. 5, p.16 ~ p.17 20
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  • 발행일 2010.02.22
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취업자료 38건

두께를 측정한 뒤, 이를 플로팅하여 Rate를 구하려고 했습니다. 그런데 실제로 증착을 진행해 보니 두께가 점점 얇아지는 문제가 있었습니다. 원인을 분석하기 위해 기록해 놓은 공정 조건 데이터를 모두 비교했습니다. 그 결과 체임버의 진공
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  • 등록일 2025.04.06
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결과 등) 3. 다른 사람들과 함께 목표를 달성하기 위해 노력했던 경험, 팀워크를 형성하기 위해 노력했던 경험을 기술해 주세요.(공동의 목표, 본인의 역할, 팀워크 형성을 위한 구체적인 노력, 목표달성 여부 및 본인의 기여도 등) 4. 회사/
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  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
결과를 발표함으로써 연구자로서의 기반을 다지고자 합니다. 또한, 향후 박사과정 진학 혹은 반도체 연구소(삼성전자, SK하이닉스 등) 연구직으로 진출하여 연구를 이어가며, 산업의 발전에 실질적으로 기여할 수 있는 인재로 성장하는 것이
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결과물, 생각을 함께 준비한다. 또한, 해당 회사의 지원동기, 직무, 산업군까지 하나의 연결고리를 만들어 답변한다면, 동시에 어필할 수 있게 될것이다. 예상 질문 중심의 답변을 만들어 준비하는 것 보다 전체적인 고민을 정리한 뒤 면접관
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  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
결과를 만들기 위해 타인과의 커뮤니케이션도 꾸준히 개선하고 있습니다. 1. 당사 입사시 수행하고 싶은 직무 및 발전방향 2. 전 직장에서의 경험한 수행과 직무를 기간별로 구체적으로 기술 3. 성장과정, 학교생활, 성격의 장단점 등
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  • 등록일 2025.05.14
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  • 직종구분 서비스, 기타 특수직
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