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증착하므로 불순물에 의한 영향을 줄일 수 있으며 막의 미세 결함을 줄일 수 있다. 이러한 특징으로 인하여 전기적 특성이 뛰어나다. 박막 공정 설계
1)설계도
2)증착 방법(증발법)
3)설계된 장비 (펌프, 챔버, 게이지, 증착 소스)
4)
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silicon, α-Si)이다. 실리콘 소스 가스인 실레인(SiH4)은 산소계 소스 가스와 결합하여 silicon dioxide를 만들어 내거나 질소계 소스 가스와 결합하여 silicon nitride를 만들어 낸다.
PECVD를 이용한 실리콘 공정의 전체적인 모습은 위의 그림과 같다.
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포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3. 이온주입
4. 리소그래피
5. 박막증착
6. 에피택시
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피하고 있다.
3. 결론
기판에 증착된 박막의 두께는 0.34 이었다.
4. 참고문헌
‘현대물리학’ A.Beiser저, 정원모 번역.
‘고체전자공학’, Streetman, Ben G, 喜重堂, 1991.
전자재료실험 매뉴얼. 목적
이론
실험방법
결과및토론
결론
참고문헌
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공정과 가열장치는 HPM 가스공정과 UHP(non-HPM) 가스공정을 포함하고 있다.
ASHING
실리콘 위에 금 혹은 SiCl, 염화규소층이 생성된 후에 남아있는 포토레지스트를 제거하는데 이는 \'ashing\'이라는 공정을 통해 이루어진다.
소자층에 흠을 내지 않
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