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etching
having the same rate of etching in both vertical and horizontal direction
related to chemical process 1. etching parameter
에칭에서 주로 사용되는 용어들에 대한 정리
2. dry etching
dry etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 가스와 장단점 그리고 장비들을
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식각(Etching) 공정은 웨이퍼 표면의 선택된 부분을 제거하기 위해서 사용되는 공정.
포토 레지스트 패턴을 마스크로 하고 마스크 아래 부분과 외부에 노출된 부분의 화학 반응을 다르게 하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같
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Dry etcher의 분류
플라즈마 식각 장치
반응성 이온 식각 장치
(Reactive ion etching, RIE)
이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법
Dry etching의 개요, 분류
Plasma etching, Ion beam milling
Reactive ion etching
공정 변수에 따른 식각
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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습식 식각(Wet Etching)
식각 용액(액체)에 웨이퍼를 넣어 액체-고체
화학반응에 의해 식각이 이루어지게 함.
소자의 최소선 폭이 큰 LSI 시대에 범용으로 쓰임
VLSI, ULSI 소자에는 집적도의 한계 때문에 거의 사용되지 않고 있음
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