|
공정
6. 공정개요 : CVD
6. 공정개요:PVD(SPUTTER)
6. 공정개요: CMP
6. 공정개요 : DIFFUSION
6. 공정개요 : PHOTO
6. 공정개요:PHOTO(장치개략도)
6. 공정개요:PHOTO(기술동향)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-1)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-2)
6. 공
|
- 페이지 26페이지
- 가격 4,500원
- 등록일 2010.02.25
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
Photo 공정이 이루어지는 곳은 Yellowroom이라 하며 방 전체가 노란색이다. 이유는 노광 작업시 다른 빛이 들어와 패턴 훼손을 최소화 하기 위해
Photo Resist
Photo Resist ?
반도체 제조 시 웨이퍼 표면 위에 미세한 회로를 그리기 위한 포토
|
- 페이지 25페이지
- 가격 6,300원
- 등록일 2015.08.25
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
공정
1. 단결정성장
2. 규소봉절단
3. 웨이퍼 표면연마
4. 회로설계
5. 마스크(Mask)제작
6. 산화(Oxidation)공정
7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식
|
- 페이지 4페이지
- 가격 800원
- 등록일 2005.11.25
- 파일종류 엑셀(xls)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
|
- 페이지 8페이지
- 가격 1,200원
- 등록일 2010.04.20
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
Cleaning한 후 Chamber를 내림)
(2)Process STB(Process Stand by)
(3)Process
(4)Boat Out
(5)System Stb
3. Photo Lithography
(1) Spin Coater 사용법
(2) Photo Resist(PR 용액 접합)
(3) Mask Aligner 사용방법
(4) PR Develop
4.RIE 장비 사용 (Dry Etching)
5. PVD(Physical Vapor Deposition)
|
- 페이지 8페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2011.12.19
- 파일종류 워드(doc)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|