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cleaning
① Organic contaminants제거(Organic Clean)
② Thin oxide layer제거 (Oxide Strip)
③ Ionic contamination제거(Ionic Clean) Wafer cleaning
1. Types and sources of contamination
2. Wet cleaning
1) RCA cleaning
2) Piranha 세정
3) DHF cleaning (Dilute HF cleaning)
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wafer cleaning technology/Karen A. Reinhardt
https://www.microscopeworld.com(t-dorkfield-microscopy)
https://petrologyservices.com/transmitted-and-reflected-light-microscopy
https://www.youtube.com/polarizing microscope
https://en.wikipedia.org
Microscopic Techniques
Technical News/Ultraviolet-Ozone
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로
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반도체 공정 장비 진행 방법
1. Cleaning
반도체를 공정하기 위한 시작단계로써 Si wafer를 Cleaning 하는 것은 그 무엇보다도 중요하다. “시작이 반이다”라는 말처럼 시작단계부터 깨끗하고 투명한 Si을 사용해야 마지막까지 공정이 잘될 수 있기
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