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기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
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측정
(1). 비저항(Resistivity), 면저항(Sheet resistance) 측정의 의의
(2). 4점 탐침기 (Four point probe)
(3) 스타일러스(Stylus)
3. 기기 및 재료
4. 실험방법
5. 실험보고서
1). 증착된 알루미늄의 비저항
2). 증착된 알루미늄의 면적
3). 광학 현미경을
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위해 10분정도 Pumping 후
Chamber 내부를 상압으로 만든다.
(8) 광학현미경, 4-point probe, Stylus을 이용하여 증착된 알루미늄의 면적, 면
저항 그리고 두께를 측정함으로써 특성을 관찰한다.
5. 실험보고서
(1) 증착된 알루미늄의 비저항
가. 알루미늄
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측정 장치를 이용한 대면적 YBa2Cu3O7-δ 박막의 고주파 표면저항의 균일성 연구” 건국대학교 석사학위 청구 논문(2002).
[13] Sang Young Lee et al., Effects of the two-gap nature on the microwave conductivity of polycrystalline MgB2 films with a critical temperature of 39K, Phys. Rev
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5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론·································45
참고 문헌··································46
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위한 저유전율 절연막 형성장치
강유전체 메모리 디바이스 관련 박막의 양산 레벌로 형성 가능한 장치
모두 다 양산 자치로서의 개발이 기대되고 있다. 디바이스 고집적화를 위해 다층배선기술은 앞으로 더욱 중요해 지고, Cu와 저비유전율
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측정기
수동표면저항측정기
오차
면 저항
전류
전압
면 저항
면 저항
ITO
2.147 k/
3.48 mA
2.53 V
3.293 k/
1.146 k/
Cu
20 m/
3.43 mA
0.014 mV
18 m/
2 m/
Si wafer
45.62 /
3.42 mA
30.47 mV
40.35 /
5.27 /
5. 결론
박막을 특정한 용도로 응용하기 위해서는 박막의 두께, 조성,
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위해서 앞으로도 화학공학 분야에서의 기술 개발이 필요함을 느꼈다.
6. 참고문헌
趙한나, Development of Etching Processing of Ni, NiO and TiO2 thin films, 2008, Pages 26-27
李到, Deposition and Etch characteristicsof IZO thin films, 2009년, Pages 26-27, 41-42
신희성, 플라즈마
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SPM의 종류와 원리
- 광학현미경과 전자현미경 원자현미경의 특성비교
- 원자현미경의 측정모드
- Ra와 RMS값의 정의
- 측정샘플 : 제조한 AU Colloid 및 AAO 표준샘플
- FTIR의 간략한 소개
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substrate)의 거리가 제어 될 수 있는 장점을 제공한다. 독립적으로, 그런 까닭에 STM으로 두 변수는 완전하게 연결된다.
2) AFM 대 SEM
Scanning Electron Microscope에 비교해서, AFM은 높이 측정과 표면특성의 분명한 관찰에 직접적으로 독특한 topographic cont
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