|
반도체 제조 공정 (반도체 제조 공정 과정, 반도체 제조 공정 웨이퍼 제조, 반도체 제조 공정 회로 설계, 반도체 제조 공정 조사, 반도체 제조 공정 연구, 반도체 제조 공정 분석, 반도체 제조 공정 5단계)
반도체 제조 공정의 큰 흐름
웨이
|
|
|
및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2).스퍼터링의 종류
|
|
|
공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/n
|
|
|
공정이다.
그림4. 몰딩공정 1. 단결정성장
2. 규소봉절단
3. 웨이퍼 표면연마
4. 회로설계
5. 마스크(Mask)제작
6. 산화(Oxidation)공정
7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etc
|
|
|
반도체를 만들기 좋은 환경은 진공이지만 현실적으로 진공에서 실험하기에는 무리가 있다. 그러나 그것을 위한 노력은 할 수 있다. 화학가스의 유입과 공정실에서 웨이퍼로의 접근에 대한 반응을 조절해야하고, 부적합한 습기와 공기, 생산
|
|
|
, 코일을 상하로 이동시켜 봉 전체를 단결정으로 만든다.
참고문헌
- 반도체소자공정기술
저 자 : Michaelquirk, Juliam serda원재
출판사 : 청문각
- 알기쉬운 반도체공정
저 자 : 박욱동, 박광순 공역
출판사 : 대명사
- LG 실트론 홈페이지
|
|
|
공정이 더욱 진화하면서 20나노급 이하에선 빛의 직진성이 떨어지는 문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다. 1. 서론
2. 본론
1) Photoresist c
|
|
|
반도체 공정은 크게 3가지로 나눌수 있는데, 첫번째가 웨이퍼 만드는 공정, 두 번째가 웨이퍼 위에 트랜지스터 만드는 공정이고, 마지막으로 플라스틱 씌어서 칩 만드는 공정이 있습니다.
그 중에서 웨이퍼 만드는 공정을 먼저 살펴보면 웨이
|
|
|
공정
〔웨이퍼가공(FAB라인)〕
〔조립〕
〔제품검사〕
반도체 3대 원재료
〔웨이퍼〕
• 얇고 둥근 반도체 물질
• 집적회로를 넣는 부분
〔MASK〕
• 웨이퍼에 그려질 회로를 그려놓은 판
〔리드프레임〕
|
|
|
웨이퍼 세정(wafer cleaning)
반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 기술은 크게 습식 세정과 건식 세정으로 구분된다. 세정 공정은 반도체 웨이퍼 표면 위의 물질을 제거한다는 점에서 식각 공정과 매우 유사하나 그 대상이 웨이퍼 표면에 존재하는 불
|
|
메뉴펼치기
