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1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정 1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7.
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스위치를 켜면 전구에 불이 들어온다.
= 전기가 통한다.
= 전류가 흐른다.
= 철사는 도체(導體)
스위치를 켜도 전구에 불이 안 들어온다.
= 전기가 안 통한다.
= 전류가 흐르지 않는다.
= 유리는 부도체(不導體)
이렇게 철사처럼
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중성자 그리고 (-)전하를 띄고있는 전자로 구성되어 있다. 1.반도체 재료 및 성질
2.반도체 소자 기초
3 Intergrated Circuit의 발달과정 및 산업에 미치는 영향
4 IC 제품
5 칩제조개요
6 웨이퍼제조
7마스크 제조
8 웨이퍼공정
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웨이퍼 기판 위에 모든 소자 제작이 완료된 후에 이들을 상호 연결하여 회로 기능
을 갖도록 하는 기술을 금속화라 한다.
■ 마무리 공정 및 테스트
○합금 및 어닐링
- 웨이퍼 표면 위에 알루미늄으로 금속 배선막을 형성하는 금속화 공정 후
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웨이퍼 선별처럼 전기적 시험을 받는다.
조립공정
SAWING
TAPE에 접착된 WAFER를 고속으로 회전하는 DIABOND BLADE를 이용하여, 개별의 반도체 CHIP으로 절단시키는 공정
ILB(Inner Lead Bonding)
SAWING한 WAFER의 각각의 CHIP들의 AU BUMP의 INNER LEAD를 ILB TOOL로 온
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