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MOS capacitor의 Oxide층과 전류의 주파수를 변수로 하여 가해준 V에 따른 Capacitance, 누설전류값을 측정하고 분석하는 실험을 진행하였다. 우리조는 두께가 두꺼워질수록 Capacitance와 누설전류값이 모두 감소할 것이라고 예상했다. 예상대로 Capacitanc
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- Tail
2. Delta Wing Type
3. Flying Wing Type
4. Biplane Type
5. etc. ( ) 1. 설계 목적
2. 실습자재
3. 제작 시 주의사항
4. 제작공정 (동체-주익-미익)
5. 이론 배경
6. 무게중심 및 자세 안정성
7. 비행 실험 결과
8. 보완 사항
9. 실험 후기
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MOS capacitor의 전체적인 제작 과정에서의 오류로 인한 것으로 생각할 수 있다.
이를 알아보기 위해 SiO2의 유전율은 각 두께별로 같아야 하지만 실험데이터 값간에 차이가 있다면 위의 내용을 뒷받침 해주는 것이 된다.
식을 변환하여 로 나타내
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capacitor로서 역할을 하지 못한다는 것을 알 수 있다.
이 실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4.
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로
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