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2.반도체
3.N형 반도체와 P형 반도체
4.다이오드의 특성 곡선
5.제너다이오드에 의한 전압안정화
6.lithography기술
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문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다. 1. 서론
2. 본론
1) Photoresist coat(PR코팅)
2) Soft Bake
3) Photo exposure
4)Develop
5)Hard bake
3.결론
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포토리소그래피 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 PR코팅 후의 소프트 베이킹, 노광 후의 post exposure baking, 현상 후의 하드 베이킹이 있다.
3.결론
지금까지 살펴본 포토리소그래피는 기계부품과 전자부품의 케미칼 에칭가공, 프린트기판
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단축시킬 수 있고, 더불어 반응성이온식각공정 중 발생하는 패턴의 선폭 변형을 줄일 수 있다.
도면
효과
포토리소그래피기술과 나노임프린트리소그래피 기술을 조합하여 리소그래피 공정을 진행하므로써 잔류층이 없는 미세 선폭의 포토레
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ositive PR
negative
Positive
접착도
좋음
나쁨
분해능
어려움
좋음
막의 두께
4000~17000Å
20000Å
산소와의 반응
반응함
반응하지 않음
노출 관용도
관용도 크다
관용도 적다
j) Development
ⓐ negative PR
- 현상액 : 자일린, 스토다드 용제(stoddar’s solvent),혼
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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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포토리소그래피공정
포토레지스트(photoresist) 패턴을 마스크로 하여 포토레지스트로 덮여 있지 않은 부분을 선택적으로 제거 1. 기술소개
-이방성
-등방성
1.2 습식 에칭 장치에 요구되는 성능과 문제점
2. 화학과의 연계성
2.
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포토리소그래피 등등이 있다.
3개의 주요 형광체는 격벽과 유전층 사이에 형성된 골짜기에 형성시킨다. 인쇄, 코팅 및 포토리소그래피 또는 전기 영동(electrophoretic) 증착이 형광체를 형성시키는데 주로 사용된다.
진공 시스템과 연결하기 위해
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반도체 제조 공정 (반도체 제조 공정 과정, 반도체 제조 공정 웨이퍼 제조, 반도체 제조 공정 회로 설계, 반도체 제조 공정 조사, 반도체 제조 공정 연구, 반도체 제조 공정 분석, 반도체 제조 공정 5단계)
반도체 제조 공정의 큰 흐름
웨이
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포토리소그래피, electronic addressing 기술 등이 이용됨
소량의 시료에서 유전자 검사를 할 경우에, DNA 증폭이 필요함. PCR(polymer chain reaction), SDA(strand displacement amplification) 등이 있음
신호 검출을 위해서는 DNA 혼성화를 통해 주로 형광 혹은 전기
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