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찍은 이미지를 보면 왼쪽 편의 사진이 예상대로 7분일 때 가장 깊은 것으로 나타났다. 처음 예상과 비슷한 결과값이 나왔다.
Etch rate는 SiO2의 두께 변화로 구하는 것이고 공식은 다음과 같다. 1. 실험 목적
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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3조
제출일 : 2016. 5. 23 1. 반도체공정실습실에서 사용한 실험실습 기자재 정보와 각각의 사용법(간략하게)
2. 특수가공 수업에서의 실습내용 및 역할 계획
3. 실험(실습)일지
4. 실험(실습) 결과물(실습과정을 확인할 수 있는 자료 및 사진)
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편광의 차이가 측정되고, 산화막 두께가 계산된다.
d=0.1㎛ (1000'C, 2hr Si(100) dark violet)
표 1 ) 성장된 박막에 의해 관찰된 색
참고문헌
1 . 반도체(공정 및 측정) 편집부 엮음 (주)전자자료사, 1994년
2 . 반도체공정기술, 황호정, 생능출판사, 2000
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소재공정실험
1. WPU, VOC, WPUD
2. FTIR, UTM
3. 고분자 섬유 방사 방법(원심 반사 스핀, 전기 반사 스핀, 습식 반사)
4. UTM 결과레포트
5. Photoresist
6. 반도체 시청 소감(아무거나)
7 ~ 14 다니엘 실험
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반도체 제조 공정
▣ 제1단계 : 단결정 성장 (Polisilicon Creation)
고순도로 정제된 실리콘용 융액에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서 실리콘기둥을(INGOT)을 만든다.
▣ 제2단계 : 규소봉 절단 (Wafer Slicing)
규소 기둥을 똑같은 두께의 얇은 Wafer로 잘
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널리 이용 1. 에피택시란 ???
2. 액상 에피택시(LED: Liquid-Phase Epitaxy)
3. 기상 에피택시(VPE : Vapor Phase Epitaxy)
4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)
5. CVD, PVD
6. Epitaxy 검사장비의 종류 및 설명
7. 박막두께 측정장비 종류 및 설명
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공정도실험테이터제조기술연구자료 등의 기술적 측면과 거래처명부, 판매기, 고객명부, 사무실 관리 방법 등의 경영적 측면이 있다.
마. 데이터베이스권
데이터베이스권은 저자권법 6조1항의 편집물의 하나로, 컴퓨터에 의한 검색이 가능하
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반도체 공학, 복두출판사, 1995, pp.218
4. 김형열, 반도체 공정 및 측정 , 전자자료사, 1995, pp.123
5. 이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997, pp.149
6.반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 실리콘
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