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Dry etcher의 분류
플라즈마 식각 장치
반응성 이온 식각 장치
(Reactive ion etching, RIE)
이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법
Dry etching의 개요, 분류
Plasma etching, Ion beam milling
Reactive ion etching
공정 변수에 따른 식각
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하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정 1.Etching의 정의
2.Etching의 종류
3.플라즈마의 정의
4.Plasma Etching
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Etching of COFeB usig CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma etching system(Journal of The Electrochemical Society 158(1) H2 2011)
[3] Etching of CoFeB Using CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma Etching System, Jong-Yoon Park외 5인, Journal of The Electrochemical Society, 158 1H1-H4 2011
[4] X.
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Etching
GAS를 공급해 반응을 일으켜서 증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법.
Dry Etching
ⅰ) Plasma Etching → chemical
［플라즈마가 채워진 공간에 기판을 담그는 방식］
ⅱ) Sputter Etching
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etching 이 집적회로의 제조에 있어서 wet etching을 대체하고 있지만 최근까지도 공업적인 low-pressure glow discharge의 사용은 plasma 산화, 질화, 침탄 등으로 제한되고 있다.
4)․PACVD의 장점 : Salt bath 나 gas nitriding을 이용한 방법보다. processing 시간
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