|
8
Okmectic
55.5
68.2
22.8
0.9
9
Wafer Works
29.3
35.2
32.4
0.5
10
Episil
26.6
35.2
32.4
0.5
합 계
6265.9
7639.5
21.9
100.0
<표. 세계 실리콘 웨이퍼 시장 점유율>
가. 국내업체
(1) LG Siltron
1983년 4월 코실(주)로 설립되어 1989년 4월 동부전자통신(주)으로 상호를 변경하
|
|
|
웨이퍼 제작을 위해 결정성장을 하고 필요한 단결정 잉곳으로 변환된다.
소량의 불순물 재료는 고유 도핑 준위를 이루기 위해 CZ법 동안에 액체 실리콘에 첨가된다. 바람직하지 않는 불순물들은 순수한 실리콘의 성장을 위해서 엄격하게 조절
|
|
|
다.
(111)Wafer도 있기는 하지만 Wafer가 방사형으로 쪼개지기 때문에 Package 과정에서 Chip이 잘 깨져서 쓸모가 없습니다.
(100) Wafer는 네모 반듯하게 쪼개지기 때문에 sawing 하면서도 문제가 발생하지 않습니다.
웨이퍼의 결정방향과 도핑특성을 표
|
|
|
웨이퍼에 깊이가 1㎛이고, 직경 0.2㎛, 0.1㎛, 0.05㎛ 인 홈에 Cu를 채워 넣는 공정이다. PVD, CVD, ALD 중 어떤 것을 이용하겠는가? 생산단가와 공정시간을 염두해 둘 것!!
● PVD(Physical Vapor Deposition) : 물리적 기상 증착법
● CVD(Chemical Vapor Deposition)
|
|
|
물방울처럼 증발하는데 여기에 웨이퍼를 넣어 회로를 연결시킨다.
2-3. 조립 및 검사
웨이퍼 자동 선별 : 칩들의 불량 여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 골라낸다. 불량제품은 검은 잉크로 동그란 마크를 찍어 분류한다.
웨이퍼 절단 : 웨이
|
|
|
고찰 및 향후 연구 방향:본 실험 결과는 실리콘 웨이퍼의 정밀 가공에 KOH 에칭이 매우 유효한 방법임을 보여준다. 그러나 에칭 과정에서 발생할 수 있는 표면 거칠기의 증가는 특정 응용 분야에서의 사용에 제한을 줄 수 있으므로, 이를 최소
|
|
|
격화하기 시작
- 구미2공장 및 미국 현지에 SiC 웨이퍼 생산 공장 증설계획
→ 6인치 SiC 웨이퍼 생산
- 2025년 기준 10배가 넘는 생산능력을 갖출 전망
- 8인치 SiC 전력반도체 웨이퍼에 대한 R&D 또한 진행 중임
ㆍDB하이텍
- 주로 8인치 반도체 웨이
|
|
|
옮겨 담가둔다.
\'디아이워터\'로 중화시키기 위해서이다.
③실리콘 웨이퍼위에 남아있는 물기를 제거하기위해 \'질소건\'으로 제거해준다.
‘질소건’을 사용할때는 실리콘 웨이퍼에 수직으로 바람을 불어주어서 웨이퍼가 날아가지 않도록
|
|
|
1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정 1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7.
|
|
|
웨이퍼 자동선별(EDS Test)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별 한다.
15. 웨이퍼 절단(Sawing)
웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
16. 칩 집
|
|
메뉴펼치기
