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원리를 이용하는 것이 MOSFET이라고 생각하면 된다.
FET와 BJT의 비교
FET와 BJT의 장단점
- 장점
①동작은 다수 캐리어만의 이동에 의존하므로 단극성소자 (unipolar device)이다.
② 접합 트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전
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MOSFET의 종류
1. Depletion형 MOSFET
전도채널을 미리 제조하고, Gate 전압에 의해 전도채널 폭을 조절하는 동작을 한다. Depletion형 MOSFET는 집적회로 에서 능동 소자 보다 수동 소자로 많이 이용 되는데 source-drain을 고농도로 도핑하여 이 사이의 반송
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전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
[그림 7] versus plot. 실제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄.
[그림 8] versus plot. 실제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄. 1. MOSFET이란?
1.1 MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
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, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000
- http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm
- http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php 1. MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3. C-V curve
4. I-v curve
5. REFERENCE
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일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET 동작원리
2 문턱전압
3 MOS 케패시터
4 MOS 전계효과 트렌지스터
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