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< Lithography >
리소그래피 (Lithography)
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1. 개요 및 응용분야
미세 가공 기술 개발의 선두에 있는 DRAM 기술에 있어서 리소그래피 기술은 항상 전체 기술의 개발을 좌우하는 중요한 요인이 되어 왔다. 현재 리소그래피 기술에
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전자빔의 궤도 반경 및 전자빔의 에너지를 작게한 리소그래피 전용의 소형
싱크로트론이 완성됨 X-ray Lithography
x-ray lithography의 기본원리
x-ray 리소그래피 주요특징
마스크의 투과도
회절효과
싱크로트론 방사광
장점
단점
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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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Lithography 란?
집적회로 제조과정에서 마스크(mask) 상의 회로 패턴을 웨이퍼(wafer)
위에 옮기를 공정
석판화 기술, 인쇄 기술 : litho(돌) + graphy(그림, 글자)
Clean Wafer
Wafer 표면의 유기물, 이온, 금속 불순물의
오염을 막기 위해 화학적으로 세
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리소그래피(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist coat (PR 코팅)
② Soft Bake(소프트 베이크)
③ Photo exposure(노광)
④ Develop(현상)
⑤ Hard bake(하드 베이크)
5) 향후의
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lithography a deposition(plating) a etching의 순으로 공정이 진행된다. 이 공정의 장점은 오직 seed layer 만을 etching하면 되기 때문에 etching에 의한 pattern 공차가 작고 line의 sharpness가 높다는 점이다.
-그 밖의 리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔
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리소그래피(X-ray Lithography)
집적회로를 만들 때 중요한 부분에 사진기술이 사용된다.
실리콘칩 표면에 만들고자 하는 부품의 패턴을 빛으로 촬영하고 그것이 감광된 수지를 칩 표면에 고정한 후 화학처리나 확산처리를 하는데, 이를 총칭해 리
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리소그래피
이온은 전자선보다 더 잘 초점을 맞출 수 있고, 산란도 심하지 않으므로 광감제에 더 잘 적응한다. 조 명의 밝기를 전자선의 경우 보다 수백분의 일로도 가능하다. 광감제의 두께가 2500Å 인 경우 에너지 는 H +이온은 14keV, Au +이온
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lithography a deposition(plating) a etching의 순으로 공정이 진행된다. 이 공정의 장점은 오직 seed layer 만을 etching하면 되기 때문에 etching에 의한 pattern 공차가 작고 line의 sharpness가 높다는 점이다.
-그 밖의 리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔
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소프트 리소그래피
소프트 리소그래피란 ?
탄성 중합체로 만들어진 스탬프를 이용하여 30nm부터 100μm
사이의 패턴 또는 구조물을 생성하는 공정
종류
나노 각인 리소그래피(NIL, NanoImprint Lithography)
마이크로 접촉 인쇄 (μCP, MicroContact
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