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Etch 공정(Pattering)
14. Photolithography 공정(PR 도포)
15. 노광공정
16. 광원변화추이
17. 현상(Development)&Hard Baking
18. Etch 공정
19. PR 제거(Ashing) 공정
20. 불순물 주입공정(Doping)-열확산법
21. 불순물 주입공정(Doping)-이온주입법
22. Anneal
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Dry etcher의 분류
플라즈마 식각 장치
반응성 이온 식각 장치
(Reactive ion etching, RIE)
이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법
Dry etching의 개요, 분류
Plasma etching, Ion beam milling
Reactive ion etching
공정 변수에 따른 식각
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공정
7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
13. 금속배선(Metallization)공정
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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etch time을 길게 할수록 깊게 파일거라는 예상을 했다. FE-SEM으로 찍은 이미지를 보면 왼쪽 편의 사진이 예상대로 7분일 때 가장 깊은 것으로 나타났다. 처음 예상과 비슷한 결과값이 나왔다.
Etch rate는 SiO2의 두께 변화로 구하는 것이고 공식은
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