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유기물을 형성하고 있다. 반응원료가 실온에서 대부분 액체인 관계로 기화 과정을 거쳐 반응기에 주입된다
≪ … 중 략 … ≫
3. 물리 기상 증착 (PVD)
3. 물리 기상 증착 (PVD)
원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너
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반도체막
단결정 Si
열 CVD
SiH4, H2
SiH2Cl2, H2
SiHCl3, H2
SiCl4, H2
다결정 Si
열 CVD
SiH4, H2
비정질 Si
Plasma CVD
SiH4
SiH4, CH4
화합물반도체
(GaAs, GaAlAs,
InP)
MOCVD
(CH3)3Ga, AsH3
(CH3)3Al, AsH3
(C2H5)3In, PH3
도 체 막
Al
열 CVD
Al(CH3)3
Plasma CVD
Al(CH3)3
AlCl3
W
(WSix*)
열 CV
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반도체 공정기술, 황호정 저, 생능출판사
공정플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 저, 정진욱 역, 청문각
직접회로 제조를 위한 반도체공정 및 장치 기술 , 이형옥 저, 상학당
박막공정의 기초, 최시영 외 공저, 일진사
나. 논문
최근의 대체세
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박막을
기판 위에 증착 할 수 있는 장비로써, 반도체 공정
및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는 공정이다.
E-beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여, 증착재료에 위치시키면
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. 우리 조도 증착 시킬시 증착 전류의 미세한 조절이 어려워 기판을 태워먹기도 하였다. 증착 시 미세한 조절이 필요하고 실험 전 각 기기의 사용 방법을 충분히 숙지하여 실험에 임하면 좋은 결과가 있을 거라 생각된다.
7.박막의 응용
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반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 단결정 성장공정
연마공정
Epitaxial 공정
노광공정
박막형성공정
현상액도포공정
노광공정
에칭공정
Resist 제거공정
확산공정
배선공정
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피하고 있다.
3. 결론
기판에 증착된 박막의 두께는 0.34 이었다.
4. 참고문헌
‘현대물리학’ A.Beiser저, 정원모 번역.
‘고체전자공학’, Streetman, Ben G, 喜重堂, 1991.
전자재료실험 매뉴얼. 목적
이론
실험방법
결과및토론
결론
참고문헌
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박막의 물성
6. 대표적인 강유전 박막과 신소재의 개발
7. FRAM의 종류
8. 박막의 필요성과 방법
Ⅲ. MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구
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반도체
1. P형반도체
2. N형반도체
3. 공핍층
Ⅴ. 전자공학과 집적회로(IC)
1. 반도체 IC(모노리틱 IC)
1) 바이폴라 IC
2) 유니폴라 IC(MOS형) : MOS형 FET가 중심
2. 혼성(HYBRID) IC
1) 박막(薄膜) IC : 증착법으로 제조
2) 후막(厚膜) IC : 인쇄법으로 제
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반도체 기판(웨이퍼)과의 부착성
: 부착이 쉽고 부착 강도가 뛰어나 반도체 기판인 실리콘(Si) 웨이퍼 위에 얇은 박막으로 증착할 수 있어야 합니다.
2) 전기저항이 낮은 물질
: 금속선은 회로패턴을 따라 전류를 전달하는 역할을 하므로 전기저
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